Nový originální integrovaný obvod BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC čip
BSZ040N06LS5
Logická úroveň výkonových MOSFETů Infineon OptiMOS™ 5 je velmi vhodná pro bezdrátové nabíjení, adaptéry a telekomunikační aplikace.Nízký náboj hradla (Q g) zařízení snižuje spínací ztráty, aniž by došlo ke ztrátě vedení.Vylepšené hodnoty umožňují provoz při vysokých spínacích frekvencích.Pohon logické úrovně navíc poskytuje nízké prahové hodnoty hradlapřídržné napětí (V GS(th)), které umožňuje řídit MOSFETy při 5V a přímo z mikrokontrolérů.
Souhrn funkcí
Low R DS(on) v malém balení
Nízký poplatek za bránu
Nižší výstupní náboj
Kompatibilita logické úrovně
Výhody
Konstrukce s vyšší hustotou výkonu
Vyšší frekvence spínání
Snížený počet dílů všude tam, kde jsou k dispozici 5V zdroje
Řízeno přímo z mikrokontrolérů (pomalé přepínání)
Snížení nákladů na systém
Parametrika
| Parametrika | BSZ040N06LS5 |
| Rozpočtová cena €/1 tis | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) max | 101 A |
| IDpuls max | 404 A |
| Montáž | SMD |
| Provozní teplota min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 69 W |
| Balík | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Počet pinů | 8 pinů |
| Polarita | N |
| QG (typ @4,5V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (zapnuto) (@4,5V LL) max | 5,6 mΩ |
| RDS (zapnuto) (@4,5V) max | 5,6 mΩ |
| RDS (zapnuto) (@10V) max | 4 mΩ |
| Rth max | 1,8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1,8 K/W |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) min max | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
