Nová a originální elektronická součástka IRF7103TRPBF IC čip
Vlastnosti produktu
| TYP | POPIS |
| Kategorie | Diskrétní polovodičové produkty |
| Mfr | Technologie Infineon |
| Série | HEXFET® |
| Balík | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® |
| Stav produktu | Aktivní |
| Typ FET | 2 N-kanálové (duální) |
| Funkce FET | Standard |
| Odvod na zdroj napětí (Vdss) | 30V |
| Proud – kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C | 6,5A |
| Rds On (Max) @ ID, Vgs | 29mOhm @ 5,8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Výkon – Max | 2W |
| Provozní teplota | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Typ montáže | Pro povrchovou montáž |
| Balíček / pouzdro | 8-SOIC (0,154″, šířka 3,90 mm) |
| Dodavatelský balíček zařízení | 8-SO |
| Základní číslo produktu | IRF7313 |
Dokumenty a média
| TYP ZDROJE | ODKAZ |
| Datové listy | IRF7313PbF |
| Další související dokumenty | IR systém číslování dílů |
| Produktové školicí moduly | Diskrétní výkonové MOSFETy 40V a nižší |
| Doporučený produkt | Systémy zpracování dat |
| HTML datový list | IRF7313PbF |
| Simulační modely | Šavlový model IRF7313 |
Environmentální a exportní klasifikace
| ATRIBUT | POPIS |
| Stav RoHS | V souladu s ROHS3 |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (neomezeno) |
| Stav REACH | REACH nedotčeno |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Dodatečné zdroje
| ATRIBUT | POPIS |
| Ostatní jména | IRF7313PBFDKR SP001562160 IRF7313PBFCT IRF7313PBFTR *IRF7313TRPBF |
| Standardní balíček | 4 000 |
Tranzistor je polovodičové zařízení, které se běžně používá v zesilovačích nebo elektronicky řízených spínačích.Tranzistory jsou základními stavebními kameny, které regulují činnost počítačů, mobilních telefonů a všech ostatních moderních elektronických obvodů.
Díky jejich vysoké rychlosti odezvy a vysoké přesnosti mohou být tranzistory použity pro širokou škálu digitálních a analogových funkcí, včetně zesílení, přepínání, regulátoru napětí, modulace signálu a oscilátoru.Tranzistory mohou být zabaleny jednotlivě nebo na velmi malé ploše, která pojme 100 milionů nebo více tranzistorů jako součást integrovaného obvodu.
Ve srovnání s elektronkou má tranzistor mnoho výhod:
Komponenta nemá spotřebu
Bez ohledu na to, jak kvalitní je trubice, bude se postupně zhoršovat v důsledku změn atomů katody a chronického úniku vzduchu.Z technických důvodů měly tranzistory stejný problém, když byly poprvé vyrobeny.Díky pokrokům v materiálech a vylepšením v mnoha aspektech vydrží tranzistory obvykle 100 až 1000krát déle než elektronické elektronky.
Spotřebujte velmi málo energie
Je to jen jedna desetina nebo desítky jedné elektronky.Nepotřebuje zahřívat vlákno, aby produkovalo volné elektrony jako elektronka.Tranzistorové rádio potřebuje pouze několik suchých baterií k poslechu po dobu šesti měsíců v roce, což je pro elektronkové rádio obtížné.
Není třeba předehřívat
Pracujte, jakmile jej zapnete.Například tranzistorové rádio se vypne, jakmile se zapne, a tranzistorová televize nastaví obraz, jakmile se zapne.Zařízení vakuové trubice to neumí.Po naběhnutí chvíli počkejte, až uslyšíte zvuk, viz obrázek.Je jasné, že ve vojenství, měření, záznamu atd. jsou tranzistory velmi výhodné.
Silný a spolehlivý
100x spolehlivější než elektronka, odolnost proti nárazům, odolnost proti vibracím, což je nesrovnatelné s elektronkou.Navíc velikost tranzistoru je pouze jedna desetina až jedna setina velikosti elektronky, velmi malé uvolňování tepla, lze použít k návrhu malých, složitých, spolehlivých obvodů.Přestože je výrobní proces tranzistoru přesný, proces je jednoduchý, což přispívá ke zlepšení hustoty instalace součástek.
